Procedeul RIE (Reactive Ion Etching) este un procedeu de gravură uscată utilizat în principal în producția electronică și microelectronică pentru curățarea sau activarea rapidă a suprafețelor, pentru cenușarea fotorezistenței sau pentru structurarea circuitelor pe plachete de semiconductori.

În acest scop se utilizează, în general, un așa-numit reactor cu plăci planare, așa cum este prezentat schematic în figura 1. Dacă o tensiune alternativă de înaltă frecvență este aplicată electrozilor la o presiune negativă cuprinsă între 10-2 și 10-1 mbar, se declanșează o descărcare de gaz (plasmă) la presiune joasă. Datorită mobilității diferite a particulelor de gaz încărcate din plasmă (ioni grei, electroni ușori), la electrodul cel mai mic se formează un potențial negativ, așa-numitul potențial de auto-biasare. Acesta este cuprins între câțiva 10 și câțiva 100 de volți.

Două efecte au loc acum pe substraturile (plachete, plăci cu circuite imprimate etc.) care se află pe electrodul mai mic atunci când sunt utilizate gazele de proces corecte:

1. Îndepărtarea chimică a suprafeței substratului sau a impurităților existente prin reacția cu particulele reactive din plasmă (gravură cu plasmă)
2. Îndepărtarea fizică prin transferul direct de impuls al ionilor accelerați în câmpul electric la suprafață (gravură prin pulverizare)

Procesul RIE combină avantajele ambelor efecte - selectivitate ridicată, viteză mare de gravură și îndepărtare anizotropică.